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摘要:
日立有限公司(Hitach.Ltd.)与瑞萨科技公司共同研制开发了一种新的堆叠芯片技术,采用通孔电极技术互连方法来实现室温下芯片的黏合。新技术取消了所需的连接线,且比最先进的SiP(系统级封装)产品减少封装厚度达60%以上。这种方法为开发3D堆迭SiP产品提供了一种新的封装技术选择。
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文献信息
篇名 通孔电极技术在室温对芯片的黏合运用
来源期刊 电子元器件应用 学科 工学
关键词 黏合 室温 电极 通孔 瑞萨科技公司 系统级封装 芯片技术 研制开发 有限公司 互连方法 技术选择 SiP 连接线 产品 堆叠 日立
年,卷(期) 2005,(7) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 45
页数 1页 分类号 TN405
字数 语种
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研究主题发展历程
节点文献
黏合
室温
电极
通孔
瑞萨科技公司
系统级封装
芯片技术
研制开发
有限公司
互连方法
技术选择
SiP
连接线
产品
堆叠
日立
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元器件应用
月刊
1563-4795
大16开
西安市科技路37号海星城市广场B座240
1999
chi
出版文献量(篇)
5842
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7
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11366
论文1v1指导