α-Si3N4单晶纳米带的光致发光及激发光谱研究

• 作者: 安立楠 张立功 杨为有 罗劲松 范翊 谢志鹏 金华
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 物理学
• 关键词: a-Si3N4 单晶 吸收 光致发光
• 年，卷（期）: 2005,（z2）
• 页码范围: 956-958
• 页数: 3页
• 分类号: O482.31
• 字数: 1423字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2005.z2.094

摘要

采用催化裂解有机前驱体方法制备出单晶a-Si3N4纳米带,研究了纳米带的吸收光谱、光致发光(PL)及激发(PLE)光谱.吸收光谱表明约5.0eV禁带宽度的纳米带是间接带半导体吸收.室温下纳米带的PL光谱在1.8eV, 2.3eV和3.0eV处有3个宽峰.PLE光谱显示在能隙中存在多个能级.