英飞凌的低导通阻抗MOSFET开关速度高达150V/ns

• 来源期刊: 变频器世界
• 学科: 工学
• 关键词: 导通阻抗 开关速度 功率MOSFET COOLMOS CS服务器 工程师 封装 电源 硅
• 年，卷（期）: bpqsj_2005,（9）
• 页码范围: 21
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1

摘要

英飞凌（Infineon）公司的CoolMOS CS服务器系列高压功率MOSFET克服了硅的性能局限，其TO-220封装的导通阻抗为99mW，TO247封装的导通阻抗为45mW，可承受600V电压。它们的开关速度为150V／ns，允许工程师设计体积更小、效率更高、发热更少的高端电源。