PECVD SiC薄膜的应力控制及抗腐蚀特性研究

• 作者: 张国炳 张海霞 李志宏 王煜 田大宇 郭辉
• 来源期刊: 中国机械工程
• 关键词: 微机电系统 碳化硅 等离子体增强化学气相淀积 薄膜 应力 离子注入 抗腐蚀
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 所属期刊栏目: 微纳米材料及特性
• 页码范围: 346-348
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-132X.2005.z1.121

摘要

运用低温的PECVD方法进行了SiC薄膜的制备,通过改究工艺参数对SiC薄膜应力的影响,制备出低应力的SiC薄膜.研究了退火工艺、离子注入工艺对薄膜应力的影响,使得薄膜应力可控制,将无定形态的SiC变成微晶态SiC;解决了厚膜在高温退火下破裂的问题,将SiC薄膜的电阻率降低到10Ω·cm的量级.对SiC的抗腐蚀特性进行了研究,对比了多种湿法、干法对SiC的腐/刻蚀速率.成功地将制备的低应力SiC薄膜用于MEMS器件的抗腐蚀保护.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田大宇		12	46	5.0	6.0
2	张海霞		24	168	6.0	12.0
3	郭辉		27	236	8.0	15.0
4	李志宏		11	82	5.0	9.0
5	张国炳		2	137	2.0	2.0
6	王煜		3	4	1.0	2.0