集成硅纳米线制造技术及其电学性质研究

• 作者: 刘文平 宋达 李昕欣 李铁 王跃林
• 来源期刊: 中国机械工程
• 关键词: 硅纳米线 微电子机械系统 表面态 光生载流子
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 所属期刊栏目: 微纳米材料及特性
• 页码范围: 365-367
• 页数: 3页
• 分类号: TN303
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-132X.2005.z1.128

摘要

采用传统MEMS工艺,利用精巧的结构设计和准确的工艺控制,制作出一种新型的、在芯片上可集成的、直径可控的硅纳米线,对其形貌和电学特性进行了初步测试和讨论.纳米线的直径达到50nm以下,长度为3～15μm,两端固支,底部悬空.电学测试结果表明,硅材料的表面活性很高,由于比表面积的增大,硅纳米线哌的电学特性受表面态的影响非常大.新鲜表面的硅纳米线与暴露在空气中一定时间的纳米线的I-V特性有着明显的不同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李昕欣	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	52	280	11.0	13.0
2	王跃林	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	84	623	14.0	18.0
3	李铁	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	37	133	6.0	9.0
4	刘文平	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	10	75	5.0	8.0
5	宋达		2	25	1.0	2.0