基于MEMS工艺制作的硅纳米线及其电学性质

• 作者: 刘文平 李昕欣 李铁 杨恒 焦继伟 王跃林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅纳米线 MEMS技术 表面吸附
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1645-1649
• 页数: 5页
• 分类号: TN303
• 字数: 2568字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.09.027

摘要

通过运用Si3N4和SiO2作掩膜,采用各向同性和各向异性腐蚀液,利用硅的腐蚀自停止特性,实现了硅梁的纳米宽度控制,同时利用多次氧化在SOI材料上实现了纳米厚度控制,最终成功批量制作了硅纳米线.扫描电镜观测表明,制备的纳米线厚度和宽度都可严格控制在100nm以下,最细的纳米线宽度可以达到20nm.同批样品的宽度变化范围在20%以内.大气中对其电学特性测量表明,剥离了表面氧化层的纳米线的电阻会随放置时间的增长而逐渐增大.进一步实验分析发现水分吸附在其电阻变化中起了重要的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨恒	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	19	46	4.0	6.0
2	李昕欣	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	52	280	11.0	13.0
3	王跃林	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	84	623	14.0	18.0
4	李铁	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	37	133	6.0	9.0
5	刘文平	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	10	75	5.0	8.0
9	焦继伟	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	24	143	7.0	10.0