硅纳米线的电学特性

• 作者: 唐元洪 张勇 裴立宅 郭池 陈扬文
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 硅纳米线 电学特性 场发射 电子输运
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 页码范围: 949-953
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.3|TN304.1
• 字数: 5356字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2005.04.066

摘要

总结了硅纳米线在电学特性方面的研究进展,重点分析了本征及掺杂硅纳米线的载流子浓度与迁移率、场发射及电子输运特性.研究表明通过对硅纳米线进行掺杂可提高载流子浓度及迁移率、场发射和电子输运性能,随硅纳米线直径的减小其电学性能增强.因此,硅纳米线在场效应晶体管及存储元件等纳米器件方面具有极大的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张勇	湖南大学材料科学与工程学院	64	923	15.0	29.0
2	唐元洪	湖南大学材料科学与工程学院	67	498	13.0	19.0
3	裴立宅	湖南大学材料科学与工程学院	37	510	14.0	21.0
4	郭池	湖南大学材料科学与工程学院	20	250	9.0	15.0
5	陈扬文	湖南大学材料科学与工程学院	16	217	9.0	14.0