亚100nm NMOSFET的沟道反型层量子化效应研究

• 作者: 朱长纯 李宗林 贺永宁
• 来源期刊: 纳米科技
• 学科: 工学
• 关键词: 亚100nm CMOS 沟道反型层量子化 栅氧厚度 阈值电压
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 基础理论研究
• 页码范围: 3-6
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文

摘要

介绍了CMOS技术发展到亚100nm所面临的挑战.针对尺寸量子化效应,建立了NMOSFET的反型层电子量子化模型,分析了反型层量子化效应对NMOSFET器件参数包括有效栅氧厚度、阈值电压等的影响.得出结论,反型层量子化效应致使反型层电子分布偏离表面,造成有效栅氧厚度的增加,阈值电压的波动达到约10%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱长纯	西安交通大学电信学院	215	2372	22.0	41.0
2	贺永宁	西安交通大学电信学院	58	265	9.0	12.0
3	李宗林	西安交通大学电信学院	1	0	0.0	0.0