IGCT器件制造中的离子注入扩散技术

• 作者: 张明
• 来源期刊: 变流技术与电力牵引
• 学科: 工学
• 关键词: IGCT 离子注入扩散 杂质分布图
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 材料·器件
• 页码范围: 23-25,45
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 2735字
• 语种: 中文

摘要

概述了电力电子器件中的扩散方法,提出了采用离子注入的试验方案,经试验得到了离子注入扩散的规律.在集成门极换向晶闸管(IGCT)器件的阴极端成功实现了硼、铝双杂质离子注入扩散层的正确分布,从而证实了该方法的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张明	株洲南车时代电气股份有限公司电力电子事业部	3	30	3.0	3.0