A位掺杂Sr1-xLa2x/3Bi4Ti4O15陶瓷的铁电介电性能

• 作者: 单丹 王伟 陈小兵 顾世浦
• 来源期刊: 扬州大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 掺杂 剩余极化 居里温度 偶极子缺陷
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 38-41
• 页数: 4页
• 分类号: O482.54|TM271
• 字数: 2662字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-824X.2006.04.009

摘要

Sr1-xLa2x/3Bi4Ti4O15 (SLBT-x,x=0.00～0.75)陶瓷居里温度(tC)随掺杂量的增加而降低,显示掺杂导致晶格畸变减小,这是由于La3+取代Sr2+位而产生的A位空位弱化了相邻TiO6八面体的耦合作用所致. 样品介电峰峰高随掺杂量增加而降低,峰形宽化,表现出弥散相变的特征,这是由于La3+和Sr2+离子半径的差异以及高掺杂量下La3+离子部分进入铋氧层所致. 样品的剩余极化(2Pr)在掺杂量为0.3时增加到23.1×10-2 C·m-2, 同时矫顽场降低到79.6×105 V·m-1, 高价掺杂所形成的偶极子缺陷使得样品铁电性能明显改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈小兵	扬州大学物理科学与技术学院	56	224	8.0	11.0
2	王伟	扬州大学物理科学与技术学院	56	283	10.0	15.0
3	单丹	扬州大学物理科学与技术学院	6	9	1.0	3.0
4	顾世浦	扬州大学物理科学与技术学院	4	16	2.0	4.0