C掺杂GaAs外延层光学特性分析

• 作者: 李建军 沈光地 盖红星 邓军 邢艳辉 韩军
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光电子学 GaAs掺杂 光荧光谱 X射线衍射
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 222-224
• 页数: 3页
• 分类号: O472.3
• 字数: 1748字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2006.02.019

摘要

对利用EMCORE D125 MOCVD系统生长的以CCl4为掺杂源,分析不同C掺杂浓度的GaAs外延层光学特性.通过PL、DC XRD测试手段研究了掺C GaAs层,随C掺杂浓度增加,禁带宽度收缩,PL谱峰值半宽增大,晶格常数减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学北京光电子技术实验室	192	1444	18.0	29.0
2	邓军	北京工业大学北京光电子技术实验室	57	219	7.0	10.0
3	韩军	北京工业大学北京光电子技术实验室	39	181	7.0	11.0
4	李建军	北京工业大学北京光电子技术实验室	52	234	7.0	12.0
5	邢艳辉	北京工业大学北京光电子技术实验室	20	59	5.0	6.0
6	盖红星	北京工业大学北京光电子技术实验室	5	13	2.0	3.0