W掺杂量对非晶态TiO2:W薄膜光学带隙的影响

• 作者: 赵国栋 黄佳木
• 来源期刊: 重庆工学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶态 磁控溅射 TiO2:W薄膜 带隙能 吸收光谱
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 材料工程
• 页码范围: 57-59
• 页数: 3页
• 分类号: TG146.2
• 字数: 2251字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-8425-B.2006.02.014

摘要

在不同的W靶溅射功率下,用反应磁控溅射法在载玻片上制备了TiO2:W薄膜,并对样品进行了XRD,STS和UV-Vis分析.结果表明试样为非晶态;W靶溅射功率为30 W时,带隙为2.75eV;W靶溅射功率为100W时,带隙为3.02eV;W靶溅射功率为150 W时,带隙能为2.92eV.STS分析结果表明,在样品的禁带中产生了新的能级,能级宽度为0.83eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄佳木	重庆大学材料科学与工程学院	84	690	13.0	20.0
2	赵国栋	重庆大学材料科学与工程学院	4	13	2.0	3.0