GaAs-LED阵列器件隔离沟槽的制备研究

• 作者: 候凤杰 孔庆峰 李佳 梁静秋 王维彪 金霞
• 来源期刊: 光电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs 发光二极管阵列 高深宽比结构 湿法腐蚀
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 246-249
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 3051字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-488X.2006.04.007

摘要

良好的电学和光学隔离能显著提高微LED阵列器件的亮度、分辩率等工作性能,高深宽比隔离沟槽的制备是决定电学隔离效果的关键.本文分析比较了各种制备工艺,选择湿法腐蚀工艺,使用了不同比例柠檬酸双氧水腐蚀液对GaAS进行了腐蚀,在二者配比为3:1的条件下,在GaAS衬底材料上制备了深宽比为2:1的隔离沟槽.腐蚀后芯片表面平整度、侧蚀等指标初步达到器件设计的要求.