高k栅极电介质材料与Si纳米晶体管

• 作者: 张邦维
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电介质材料 高k电介质 物理和电性能 纳米晶体管
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 专家论坛
• 页码范围: 113-120
• 页数: 8页
• 分类号: O48|TN386.1
• 字数: 7027字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2006.03.001

摘要

Si MOS晶体管进入nm尺度后,原来通用的栅极介电材料SiO2已不能适应纳米晶体管继续小型化的需要,必须用高k栅极电介质材料取而代之.对Si纳米晶体管为什么要采用高k栅极电介质材料、此类材料的物理性能和电学性能、与Si之间的相容性以及材料中缺陷对其性能和器件的影响等一系列问题进行了论述,并且讨论了高k栅极电介质材料的进一步发展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张邦维	湖南大学应用物理系	40	216	8.0	12.0