场发射硅锥阵列的干法制备与研究

• 作者: 叶枝灿 吴茂松 徐东 王芸 王莉 蔡炳初 钱开友
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅锥 干法刻蚀 RIE 场发射
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 微细加工技术
• 页码范围: 56-60
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2641字
• 语种: 中文

摘要

阐述了用于场发射压力传感器发射阴极的硅锥阵列的干法制备工艺,用反应离子刻蚀(RIE)的方法在76 mm(3 in.)的低阻硅片上制备出52个均匀分布的10×12的硅锥阵列,得到了曲率半径为25 nm～35 nm且具有良好一致性的尖锥.当阵列的场发射起始电压为1.4 V/μm,场强为9.2 V/μm时,单个硅锥的发射电流达到8.3 nA,并且性能较为稳定.