GaAs结构在单轴加压下的光致发光特性测试

• 作者: 张文栋 李树盛 熊继军
• 来源期刊: 测试技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 单轴应力 光致发光 蓝移 峰裂
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 测试技术与理论研究
• 页码范围: 435-438
• 页数: 4页
• 分类号: TN307
• 字数: 1747字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-7449.2006.05.011

摘要

研究了一种GaAs层结构在[110]方向外部单轴应力下基于光致发光(PL)谱的测试方法.层结构的应力由螺旋测微器施加,可以产生平面内的压(拉)应力和应变,大小可以由胡克定律算出.随着应力的增大,观察到了谱峰明显的蓝移.在一系列的加压后,在 1.432 eV,有一个新的峰出现在原有的峰的肩部附近,随着压力增加,两个峰逐渐分开.同时 PL 峰的半峰宽随着应力增加而逐渐加大.最后,本文根据实验结果分析了静水和单轴应力的不同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张文栋	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	167	1172	16.0	26.0
2	熊继军	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	111	702	13.0	19.0
3	李树盛	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	3	26	2.0	3.0