溅射非晶钴硅薄膜的晶化过程及其分析

• 作者: 吴建生 姜传海 徐昌学 李伟
• 来源期刊: 理化检验-物理分册
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶钴硅薄膜 X射线分析 自由能曲线
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 试验与研究
• 页码范围: 163-166
• 页数: 4页
• 分类号: TB43
• 字数: 2996字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4012.2006.04.001

摘要

利用射频磁控溅射方法制备了具有CoSi2成分的非晶薄膜,对非晶薄膜的晶化过程进行了原位X射线分析.结果显示,溅射态薄膜为非晶态,而自由能-成分曲线说明非晶态合金有较低自由能.在非晶晶化过程中初生相为CoSi相,其形成由有效形成热(EHF)因素和结构因素决定.随加热温度升高,非晶薄膜晶化最终得到晶体CoSi2薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴建生	上海交通大学材料科学与工程学院高温材料及高温测试教育部重点实验室	141	1402	19.0	30.0
2	姜传海	上海交通大学材料科学与工程学院高温材料及高温测试教育部重点实验室	46	243	9.0	13.0
3	李伟	上海交通大学材料科学与工程学院高温材料及高温测试教育部重点实验室	143	563	13.0	19.0
4	徐昌学		14	178	6.0	13.0