一种高稳定低功耗CMOS过热保护电路的设计

• 作者: 石伟韬 蒋国平
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS工艺 过热保护电路 低功耗
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 330-334
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 2309字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.02.009

摘要

采用1.2 μm CMOS工艺,设计了一种过热保护电路,并利用Cadence Spectre 仿真工具对电路进行了仿真,结果表明,电路的输出信号对电源的抑制能力很强,在3.5 V以上的电源电压工作下,输出过热保护信号所产生的过热温度点基本保持不变,约为132℃;同时在3V电源电压工作下,电路功耗约为1.05 mW,而在9 V的高压下工作,功耗仅为14.4 mW.由此可见,此电路性能较好,可广泛应用在各种集成电路内部.