3.53×10-6m/℃非带隙VT/Vth互补偿CMOS电压基准

• 作者: 何波 李栋 沈路
• 来源期刊: 实验科学与技术
• 学科: 工学
• 关键词: 非带隙 高精度 VT/Vth互补偿 阈值电压提取 CMOS电压基准
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 微电子科学与器件
• 页码范围: 46-48
• 页数: 3页
• 分类号: TN431.1|TP391.9
• 字数: 1187字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-4550.2006.z1.016

摘要

提出了一种基于阈值电压Vth与热电压VT相互补偿的新型非带隙CMOS电压基准源.采用一种新型电路结构提取正比于Vth的电流,通过自偏置电流镜结构获得正比于两个三极管VBE之差的电流输出,两者在公共电阻上的线性叠加,实现Vth与VT的相互补偿.基于3.3 V电源电压0.35 μm标准CMOS工艺模型在Cadance Spectre仿真环境下对电路进行模拟验证,获得以下结果:输出基准电压为716.828 mV,在-55℃～+125℃范围内,其温度系数为3.53×10-6m/℃;VDD在2.7 V～4 V之间变化时,输出电压变化率为1.346%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何波		7	60	4.0	7.0
2	沈路		2	2	1.0	1.0
3	李栋		1	1	1.0	1.0