MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器模拟与测试

• 作者: 毛陆虹 陈弘达 雷晓荃 黄家乐
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: MS/RF CMOS工艺 深n阱(DNW) 浅沟槽隔离(STI) 器件模拟
• 年，卷（期）: 2006,（12）
• 所属期刊栏目: 光电子器件和系统
• 页码范围: 1413-1417
• 页数: 5页
• 分类号: TN366
• 字数: 2413字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2006.12.002

摘要

设计了一种新型的与MS/RF CMOS工艺全兼容、带深n阱(DNW)、浅沟槽隔离(STI)的双光电探测器,分析了其工作机理,用器件模拟软件ATLAS对其暗电流、响应电流、光调制频率响应和波长响应进行了模拟.采用TSMC 0.18 μm MS/RF CMOS工艺进行了流片,对芯片进行了暗电流和响应度的测试.模拟和测试结果均表明,该探测器与常规双光电探测器相比,具有较低的暗电流和较高的响应度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛陆虹	天津大学电子信息工程学院	165	736	12.0	20.0
2	陈弘达	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	82	341	10.0	13.0
3	雷晓荃	天津大学电子信息工程学院	2	11	1.0	2.0
4	黄家乐	天津大学电子信息工程学院	4	13	2.0	3.0