制备全光功能开关的多量子阱材料设计

• 作者: 毕洁 王涛 黄德修
• 来源期刊: 光学与光电技术
• 学科: 工学
• 关键词: 全光功能开关 自旋弛豫时间 InGaAsP 组分 阱宽
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 63-65
• 页数: 3页
• 分类号: TN2
• 字数: 1544字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-3392.2006.05.014

摘要

采用有效质量框架下一维有限深势阱模型对InGaAsP多量子阱的组分和阱宽之间的关系进行了计算,利用更符合实验结果的Harrison模型来计算带阶,分别就晶格匹配和应变补偿两种情况进行了比较计算,最后根据要制作的全光功能开关的性能指标对计算结果进行了选择,得到最适合于制作光开关的材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄德修	华中科技大学光电子工程系	245	1938	20.0	28.0
2	王涛	华中科技大学光电子工程系	242	1347	16.0	25.0
3	毕洁	华中科技大学光电子工程系	1	1	1.0	1.0