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高性能存储器系统
高性能存储器系统
作者:
H.哈德米勒
丁丹
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
存储器系统
TECHNOLOGY
上升速度
微处理器
道路发展
CPU
for
内存
摘要:
在过去的十年当中,微处理器的速度快速上升,每18个月CPU速度就会增加一倍。然而,当初内存的速度增加一倍却用了整整十年。ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductor)研究表明,存储器将会依然沿着现有的发展道路发展,因此ITRS的短期和长期目标表明,在2016年之前,目前的存储器性能上升速度将会一直保持现有水平。
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篇名
高性能存储器系统
来源期刊
国外科技新书评介
学科
工学
关键词
存储器系统
TECHNOLOGY
上升速度
微处理器
道路发展
CPU
for
内存
年,卷(期)
2006,(3)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
9
页数
1页
分类号
TP333
字数
语种
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
丁丹
中国科学院计算技术研究所
24
11
2.0
3.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
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共引文献
(0)
参考文献
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节点文献
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2006(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
存储器系统
TECHNOLOGY
上升速度
微处理器
道路发展
CPU
for
内存
研究起点
研究来源
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研究去脉
引文网络交叉学科
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出版周期:
月刊
ISSN:
CN:
开本:
出版地:
北京市海淀区中关村北四环西路33号
邮发代号:
创刊时间:
语种:
出版文献量(篇)
4046
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93
总被引数(次)
0
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