基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
在过去的十年当中,微处理器的速度快速上升,每18个月CPU速度就会增加一倍。然而,当初内存的速度增加一倍却用了整整十年。ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductor)研究表明,存储器将会依然沿着现有的发展道路发展,因此ITRS的短期和长期目标表明,在2016年之前,目前的存储器性能上升速度将会一直保持现有水平。
推荐文章
基于SOC的高性能存储器控制器设计
SDRAM
SRAM
NorFlash
可配置性
SOC
嵌入式系统中存储器性能研究
嵌入式系统
动态随机存储器
故障检测
失效模型
RS码和双总线结构的高性能闪存图像存储器
RS码
双总线结构
纠错匹配
NAND闪存
数据交织
存储器模块测试系统的设计
存储器模块
测试系统
数字波形发生器
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 高性能存储器系统
来源期刊 国外科技新书评介 学科 工学
关键词 存储器系统 TECHNOLOGY 上升速度 微处理器 道路发展 CPU for 内存
年,卷(期) 2006,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 9
页数 1页 分类号 TP333
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 丁丹 中国科学院计算技术研究所 24 11 2.0 3.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2006(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
存储器系统
TECHNOLOGY
上升速度
微处理器
道路发展
CPU
for
内存
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
国外科技新书评介
月刊
北京市海淀区中关村北四环西路33号
出版文献量(篇)
4046
总下载数(次)
93
总被引数(次)
0
论文1v1指导