不同耦合间隙对大直径SiC晶体生长感应加热系统的影响

• 作者: 封先锋 张群社 李留臣 蒲红斌 陈曦 陈治明
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC PVT法 磁矢势 焦耳热
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 781-784
• 页数: 4页
• 分类号: O78
• 字数: 1806字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.025

摘要

本文采用有限元分析方法系统地研究了大尺寸SiC晶体PVT法生长装置中的加热组件不同的耦合间隙对生长系统中的感应磁场、感生电流和焦耳热的影响;分析比较了取不同的耦合间隙时系统达到热平衡状态所需时间的不同.得出了在中频电源的输出功率和频率都不变的前提下,在线圈匝数已固定的条件下,通过缩小耦合间隙可以提高系统的加热效率,缩短系统达到热平衡状态所需时间的结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学自动化与信息工程学院	83	498	11.0	18.0
2	李留臣	西安理工大学自动化与信息工程学院	25	153	8.0	11.0
3	陈曦	西安理工大学自动化与信息工程学院	16	35	4.0	5.0
4	蒲红斌	西安理工大学自动化与信息工程学院	33	119	7.0	9.0
5	封先锋	西安理工大学自动化与信息工程学院	22	106	7.0	9.0
6	张群社	西安理工大学自动化与信息工程学院	9	71	5.0	8.0