PVT法生长大直径6H-SiC晶体感应加热对系统的影响

• 作者: 封先锋 张群社 李留臣 蒲红斌 陈治明
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: PVT法 SiC粉源 温度场 温度梯度
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 180-183
• 页数: 4页
• 分类号: O78
• 字数: 2582字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.01.040

摘要

采用有限元分析法系统地研究了大尺寸6H-SiC晶体PVT法生长装置中感应加热线圈的不同高度和匝间距对生长腔、粉源以及晶体生长温度场的影响;分析比较了线圈不同高度和匝间距时晶体生长面径向温度梯度的变化.结果表明:在中频电源的输出功率和频率固定,盲孔内径不变的情况下,通过调整线圈匝间距和高度可以减小晶体生长面径向温度梯度,改善晶体的质量,同时又有较高的生长速率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学电子工程系	83	498	11.0	18.0
2	李留臣	西安理工大学电子工程系	25	153	8.0	11.0
3	蒲红斌	西安理工大学电子工程系	33	119	7.0	9.0
4	封先锋	西安理工大学电子工程系	22	106	7.0	9.0
5	张群社	西安理工大学电子工程系	9	71	5.0	8.0