PVT法生长大直径SiC晶体粉源的热特性及对生长的影响

• 作者: 封先锋 张群社 李留臣 杨峰 蒲红斌 陈治明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: PVT法 SiC粉源 温度场 空隙率
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 60-64
• 页数: 5页
• 分类号: O782
• 字数: 3514字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.01.013

摘要

研究了SiC粉料的空隙率对晶体生长的影响.分析比较了当粉料取不同空隙率时粉料中以及生长腔内温度分布的异同,并结合实验研究了生长腔内等温线的不同形状和生长晶体表面形貌之间的关系.数值计算和实验结果均表明,生长腔内等温线的形状直接决定着生长晶体的表面形貌;粉源内较大的空隙率有利于粉的有效升华和晶体的稳定生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学自动化与信息工程学院	83	498	11.0	18.0
2	杨峰		23	99	6.0	9.0
3	李留臣	西安理工大学自动化与信息工程学院	25	153	8.0	11.0
4	蒲红斌	西安理工大学自动化与信息工程学院	33	119	7.0	9.0
5	封先锋	西安理工大学自动化与信息工程学院	22	106	7.0	9.0
6	张群社	西安理工大学自动化与信息工程学院	9	71	5.0	8.0