A位掺杂Bi4Ti3O12陶瓷的铁电性能研究

• 作者: 卢朝靖 祁亚军 肖昕
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电性 陶瓷 A位 掺杂
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1564-1565,1568
• 页数: 3页
• 分类号: TB303
• 字数: 1113字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2006.10.013

摘要

用传统固相烧结工艺,制备了纯相的Bi4Ti3O12 (BTO)陶瓷,A位掺杂的Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT),Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)铁电陶瓷.X射线衍射结果表明,所有样品均为单一的层状钙钛矿结构,La、Nd掺杂未改变BTO的晶体结构.铁电测试结果表明,BTO、BLT和BNdT陶瓷的剩余极化2Pr值分别为12.4、23.8和39.4μC/cm2.A位掺杂后,BLT、BNdT的2Pr值比未掺杂的BTO分别提高了1.92和3.18倍.漏电流测试表明,BLT、BNdT陶瓷的漏电流密度比BTO明显降低.A位掺杂显著提高了BTO陶瓷的铁电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢朝靖	湖北大学物理学与电子技术学院	8	13	2.0	3.0
2	祁亚军	湖北大学物理学与电子技术学院	12	14	2.0	3.0
3	肖昕		1	3	1.0	1.0