氮化铜薄膜的结构与组成分析

• 作者: 左安友 李兴鳌 杨建平 袁作彬
• 来源期刊: 湖北民族学院学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化铜薄膜 直流磁控溅射 X射线衍射 X射线光电子能谱
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 173-175
• 页数: 3页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2654字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-8423.2006.02.018

摘要

采用反应直流磁控溅射的方法在室温下,在玻璃基底上成功制备了多晶氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示薄膜是择优生长取向的,在低氮气分压时薄膜择优[111]晶向生长,在高氮气分压条件下薄膜的择优生长取向为[100]、[111];XPS分析表明,在低氮气分压时,薄膜主要由Cu3N和Cu组成;在高氮气分压时,薄膜主要由Cu3N组成,而Cu的含量很少.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨建平	湖北民族学院理学院	27	66	4.0	7.0
2	左安友	湖北民族学院理学院	56	153	6.0	8.0
3	李兴鳌	湖北民族学院理学院	32	94	5.0	8.0
4	袁作彬	湖北民族学院理学院	29	93	5.0	8.0