一种2.4 GHz CMOS低噪声放大器的优化设计

• 作者: 朱樟明 李跃进 石道林
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 低噪系数 阻抗匹配 IIP3
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 360-364
• 页数: 5页
• 分类号: TN722.3|TN431.2
• 字数: 2734字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.02.017

摘要

通过对共源共栅结构的低噪声放大器的噪声和线性度的理论分析,得出该结构的放大器的噪声主要受第一级MOS管的影响,而线性度主要受第二级MOS管的影响.并由此提出一种对该电路的噪声和线性度的分别优化的方法.采用该方法设计一个基于TSMC 0.25 μmCMOS工艺、2.4 GHz的低噪声放大器, 仿真结果表明在2.4 GHz下,它的噪声系数[N F]为1.15 dB,增益S21为16.5 dB, 工作电压1.5 V时,功耗为14 mW,线性度IIP3为0.3 dBm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李跃进	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	70	432	11.0	17.0
2	朱樟明	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	164	1318	18.0	26.0
3	石道林	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0