p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究

• 作者: 丛春晓 关丽秀 姚斌 崔海峰 杨通 谢玉鹏 邢国忠
• 来源期刊: 物理实验
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 磁控溅射 导电性能
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 实验教学
• 页码范围: 3-6,17
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2769字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-4642.2006.11.001

摘要

以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2 μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510～1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘-n型-p型-n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服Vo和Zni本征施主的补偿效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚斌	吉林大学物理学院	23	68	4.0	7.0
2	崔海峰	吉林大学物理学院	3	9	1.0	3.0
3	杨通	吉林大学物理学院	1	1	1.0	1.0
4	邢国忠	吉林大学物理学院	2	8	1.0	2.0
5	关丽秀	吉林大学物理学院	2	2	1.0	1.0
6	丛春晓	吉林大学物理学院	5	2	1.0	1.0
7	谢玉鹏	吉林大学物理学院	1	1	1.0	1.0