基于0.6μm CMOS工艺的pH值传感器集成电路设计和研究

• 作者: 施朝霞 朱大中
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: pH值传感器 恒流恒压 灵敏度 集成电路
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 页码范围: 2501-2504
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 字数: 1772字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2006.06.036

摘要

介绍了一种基于上华0.6μmCMOS工艺实现的pH值传感器集成电路的设计和研究,它采用标准CMOS工艺提供的Si3N4钝化层作为氢离子敏感层,并以多层浮栅结构的ISFET作为传感单元.信号处理电路由基准电流源、恒流恒压控制电路、输出差分电路等组成,使电路输出信号与pH值的变化量呈线性关系.实测结果表明该电路在溶液pH值从1-13范围内输出电压的平均灵敏度为35.8 mV/pH,线性度优于5%.该集成电路实现了pH值传感单元与信号处理电路的单片集成.