纳电子器件中的超低介电常数材料与多孔SiCOH薄膜研究

• 作者: 叶超 宁兆元
• 来源期刊: 物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 超低介电常数材料 多孔SiCOH薄膜
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 前沿进展
• 页码范围: 322-329
• 页数: 8页
• 分类号: O4
• 字数: 8395字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0379-4148.2006.04.012

摘要

65 nm以下线宽的纳电子器件,要求采用介电常数k小于2的超低介电常数材料作为层间和线间绝缘介质,等离子体增强的化学气相沉积技术制备的硅基纳米多孔薄膜,提供了实现k＜2的可能性,多孔SiCOH薄膜成为最具希望的候选材料,但是,纳米孔的引入带来了材料其他性能恶化、集成工艺困难、薄膜微结构分析等许多新问题.文章介绍了多孔SiCOH(超)低k薄膜研究的主要进展及面临的挑战.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁兆元	苏州大学物理科学与技术学院江苏省薄膜材料重点实验室	70	528	12.0	18.0
2	叶超	苏州大学物理科学与技术学院江苏省薄膜材料重点实验室	33	244	10.0	14.0