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摘要:
讨论了90/65 nm芯片设计采用可制造性设计的必要性和优势.介绍了以RET/OPC为核心的可制造性设计.
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文献信息
篇名 光刻、OPC与DFM
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 芯片设计 光刻 光学邻近效应校正 可制造性设计 分辨率增强技术
年,卷(期) 2006,(4) 所属期刊栏目 专题报道
研究方向 页码范围 18-22
页数 5页 分类号 TN305.7
字数 3837字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-4507.2006.04.007
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 翁寿松 95 534 13.0 18.0
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研究主题发展历程
节点文献
芯片设计
光刻
光学邻近效应校正
可制造性设计
分辨率增强技术
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
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