用于应变硅技术的高应力SiN薄膜的开发

• 来源期刊: 集成电路应用
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 专题文章
• 页码范围: 36-39
• 页数: 4页
• 字数: 4159字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-2583.2006.05.006

摘要

在高级CMOS器件中,高应力氮化硅(SiN)薄膜是增强应变的主要方法.如果要改善PMOS或NMOS器件性能,则分别需要采用具有压应力和张应力的氮化硅薄膜.我们对相关机理进行了回顾,根据不同的淀积和工艺处理条件的组合,从而得到了张应力大于1.6 GPa和压应力大于2.9GPa的氮化硅薄膜覆盖.