不同工艺制备的ta-C和ta-C:N薄膜表面粗糙度研究

• 作者: ZHANG Hua-yu 刘会良 刘凡新 刘良学 张化宇 王东 马洪涛
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: ta-C:N AFM XPS 粗糙度
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 673-675
• 页数: 3页
• 分类号: TB43
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2006.05.010

摘要

采用FCVA工艺成功制备了ta-C薄膜,采用ECR-CVD工艺对部分ta-C薄膜试样进行氮等离子体处理,制备了ta-C:N薄膜.对两种薄膜的表面粗糙度与元素含量、沉积工艺参数之间的关系进行了研究.通过AFM对薄膜表面粗糙度进行了分析,通过XPS对薄膜的元素含量进行了分析.试验结果显示,沉积条件对薄膜厚度和元素含量具有明显的影响.对ta-C薄膜进行氮等离子体处理后,其表面粗糙度有一个明显的起伏变化.研究结果表明,氮能改变DLC薄膜表面的粗糙度.元素含量也随着薄膜的厚度变化而变化.