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摘要:
近年来,HgCdTe材料在红外领域的应用得到了长足的发展,并成为继Si和GaAs以后最为重要的半导体材料之一.在发展过程中,由最初的采用体材料直接制作器件,发展到目前利用薄膜技术来制作器件,并通过灵活运用各种薄膜的制备和掺杂技术,采用不同的器件结构,使器件的性能取得了极大的提高.由单元到多元到焦平面,由单色到双色,由低温到高温,由短波波段到长波波段,HgCdTe红外探测器已发展成为了种类最齐全,应用最广泛的一类红外探测器.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 HgCdTe材料的制备及其红外器件综述
来源期刊 实验科学与技术 学科 工学
关键词 HgCdTe材料 薄膜 红外探测器 薄膜的制备
年,卷(期) 2006,(4) 所属期刊栏目 大学生实验园地
研究方向 页码范围 106-109
页数 4页 分类号 TN1
字数 3888字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-4550.2006.04.036
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 马敏辉 2 7 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
HgCdTe材料
薄膜
红外探测器
薄膜的制备
研究起点
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
实验科学与技术
双月刊
1672-4550
51-1653/T
大16开
四川省成都市建设北路二段4号
62-287
2003
chi
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