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HgCdTe材料的制备及其红外器件综述
HgCdTe材料的制备及其红外器件综述
作者:
马敏辉
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
HgCdTe材料
薄膜
红外探测器
薄膜的制备
摘要:
近年来,HgCdTe材料在红外领域的应用得到了长足的发展,并成为继Si和GaAs以后最为重要的半导体材料之一.在发展过程中,由最初的采用体材料直接制作器件,发展到目前利用薄膜技术来制作器件,并通过灵活运用各种薄膜的制备和掺杂技术,采用不同的器件结构,使器件的性能取得了极大的提高.由单元到多元到焦平面,由单色到双色,由低温到高温,由短波波段到长波波段,HgCdTe红外探测器已发展成为了种类最齐全,应用最广泛的一类红外探测器.
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文献信息
篇名
HgCdTe材料的制备及其红外器件综述
来源期刊
实验科学与技术
学科
工学
关键词
HgCdTe材料
薄膜
红外探测器
薄膜的制备
年,卷(期)
2006,(4)
所属期刊栏目
大学生实验园地
研究方向
页码范围
106-109
页数
4页
分类号
TN1
字数
3888字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1672-4550.2006.04.036
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
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1
马敏辉
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传播情况
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薄膜
红外探测器
薄膜的制备
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
实验科学与技术
主办单位:
四川省高教学会
电子科技大学
出版周期:
双月刊
ISSN:
1672-4550
CN:
51-1653/T
开本:
大16开
出版地:
四川省成都市建设北路二段4号
邮发代号:
62-287
创刊时间:
2003
语种:
chi
出版文献量(篇)
5811
总下载数(次)
11
总被引数(次)
26929
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