Au/CdTe+ZnS/HgCdTe双层介质膜MIS器件的制备及研究

• 作者: 吴小山 周咏东 方家熊 李言谨 汤定元 靳秀芳 龚海梅
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: CdTe薄膜 HgCdTe红外焦平面 器件表面钝化 ZnS
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 页码范围: 249-252
• 页数: 4页
• 分类号: TB34
• 字数: 3378字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2001.04.003

摘要

通过介质膜ZnS、CdTe薄膜材料的Ar+束溅射沉积研究,结合HgCdTe器件工艺,成功制备了以ZnS、CdTe双层介质膜为绝缘层的HgCdTe MIS器件;通过对器件的C-V特性实验分析,获得了CdTe/HgCdTe界面电学特性参数.实验表明: 溅射沉积介质膜CdTe+ZnS对HgCdTe的表面钝化已经可以满足HgCdTe红外焦平面器件表面钝化的各项要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚海梅	中国科学院上海技术物理研究所	69	451	10.0	18.0
2	汤定元	中国科学院上海技术物理研究所	16	70	4.0	7.0
3	李言谨	中国科学院上海技术物理研究所	24	187	8.0	13.0
4	方家熊	中国科学院上海技术物理研究所	39	184	7.0	11.0
5	吴小山	南京大学微结构物理实验室	36	180	6.0	12.0
6	靳秀芳	中国科学院上海技术物理研究所	2	3	1.0	1.0