真空退火的CdTe/Au掺杂HgCdTe界面状态的影响

• 作者: 周松敏 孙常鸿 林春 沈灏 王溪 魏彦峰
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: Au掺杂HgCdTe 电子束蒸发CdTe 退火 载流子浓度 Au分布
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 页码范围: 399-402
• 页数: 4页
• 分类号: TN215
• 字数: 2826字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2018.04.004

摘要

对使用CdTe覆盖的HgCdTe材料在不同温度下进行了一系列的退火实验.研究发现,退火可以改善电子束蒸发CdTe的晶体状态,使CdTe和HgCdTe之间的界面状态得到改善.Au掺杂HgCdTe覆盖CdTe后,真空条件下退火,240℃和300℃对Au掺杂的浓度分布改变不大,Au掺杂的浓度几乎不变.但是,温度的不同会对汞空位的浓度产生显著的影响,因此退火温度不同会使载流子浓度明显不同.退火温度从240℃升高至300℃后,霍尔测试得到的载流子浓度从2×1016 cm-3左右升高至5.5×1016 cm-3左右.