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摘要:
对使用CdTe覆盖的HgCdTe材料在不同温度下进行了一系列的退火实验.研究发现,退火可以改善电子束蒸发CdTe的晶体状态,使CdTe和HgCdTe之间的界面状态得到改善.Au掺杂HgCdTe覆盖CdTe后,真空条件下退火,240℃和300℃对Au掺杂的浓度分布改变不大,Au掺杂的浓度几乎不变.但是,温度的不同会对汞空位的浓度产生显著的影响,因此退火温度不同会使载流子浓度明显不同.退火温度从240℃升高至300℃后,霍尔测试得到的载流子浓度从2×1016 cm-3左右升高至5.5×1016 cm-3左右.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 真空退火的CdTe/Au掺杂HgCdTe界面状态的影响
来源期刊 红外与毫米波学报 学科 工学
关键词 Au掺杂HgCdTe 电子束蒸发CdTe 退火 载流子浓度 Au分布
年,卷(期) 2018,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 399-402
页数 4页 分类号 TN215
字数 2826字 语种 中文
DOI 10.11972/j.issn.1001-9014.2018.04.004
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研究主题发展历程
节点文献
Au掺杂HgCdTe
电子束蒸发CdTe
退火
载流子浓度
Au分布
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外与毫米波学报
双月刊
1001-9014
31-1577/TN
大16开
上海市玉田路500号
4-335
1982
chi
出版文献量(篇)
2620
总下载数(次)
3
总被引数(次)
28003
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
论文1v1指导