内部电压箝位与智能自保护功率MOSFET及其应用

• 作者: 毛兴武
• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: 过电压箝 自保护 功率MOSFET 智能IC
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 118-119
• 页数: 2页
• 分类号: TN701

摘要

MOSFET器件是功能电路中的常用器件，同时也是在过流或过压情况下最易损坏的器件。文中介绍了多种电压箝位式功率MOSFET器件和智能型自保护功率MOSFET的特性参数和内部结构，给出了它们的电路连接方法。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛兴武		58	65	4.0	7.0