用升华法生长SiC晶体的一种新颖的坩埚设计

• 作者: 封先锋 张群社 李留臣 蒲红斌 陈治明
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC 模拟 温度场 PVT法
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 155-158
• 页数: 4页
• 分类号: O782
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.036

摘要

本文提出一个用PVT法生长SiC晶体的坩埚的新颖设计.分析了生长腔中有无锥形档板对腔内及籽晶温度场的影响;比较了档板取不同厚度时SiC粉源升华面和籽晶表面的温度分布.得出了在腔内增设档板后晶体生长面的温度更趋均匀的结论;获取了随着档板厚度的增加,腔内的轴向温度梯度随之增加,但同时晶体生长面的温度也会降低的设计原则.根据计算结果,选取档板厚度等于2mm为优化参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学自动化与信息工程学院	83	498	11.0	18.0
2	李留臣	西安理工大学自动化与信息工程学院	25	153	8.0	11.0
3	蒲红斌	西安理工大学自动化与信息工程学院	33	119	7.0	9.0
4	封先锋	西安理工大学自动化与信息工程学院	22	106	7.0	9.0
5	张群社	西安理工大学自动化与信息工程学院	9	71	5.0	8.0