SiC材料升华法生长机理

• 作者: 佟丽英 曹全喜 潘晖
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅升华法生长 热传输 物质传输 缺陷 化学计量比
• 年，卷（期）: 2002,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 17-19
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 3500字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2002.12.006

摘要

讨论了SiC晶体升华法生长机理.从SiC晶体生长过程中的化学反应,热传输,物质传输以及缺陷的形成等方面进行了探讨.分析了化学计量比和保护气体压力对SiC单晶生长及其缺陷形成的影响.通过分析得到,要获得高质量的SiC单晶,必须有效地控制各种工艺参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹全喜	西安电子科技大学技术物理学院	92	638	13.0	21.0
2	潘晖	西安电子科技大学技术物理学院	2	42	2.0	2.0
3	佟丽英		1	3	1.0	1.0