RF MEMS压控振荡器的研制及相位噪声特性研究

• 作者: 张志国 李丽 赵正平 郭文胜
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: RF MEMS 可变电容 Q值 压控振荡器 单边带相位噪声
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: RF微纳器件与技术
• 页码范围: 1907-1910
• 页数: 4页
• 分类号: TN75
• 字数: 2494字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2006.05.159

摘要

利用RF MEMS可变电容作为频率调节元件,制备了中心频率为2 GHz的MEMS VCO器件.RF MEMS可变电容采用凹型结构,其控制极板与电容极板分离,并采用表面微机械工艺制造,在2 GHz时的Q值最高约为38.462.MEMS VCO的测试结果表明,偏离2.007 GHz的载波频率100kHz处的单边带相位噪声为-107 dBc/Hz,此相位噪声性能优于他们与90年代末国外同频率器件.并与采用GaAs超突变结变容二极管的VCO器件进行了比较,说明由于集成了RF MEMS可变电容,使得在RF MEMS可变电容的机械谐振频率近端时,MEMS VCO的相位噪声特性发生了改变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵正平	中国电子科技集团公司第十三研究所	46	197	7.0	12.0
2	张志国	中国电子科技集团公司第十三研究所	17	48	5.0	5.0
3	李丽	中国电子科技集团公司第十三研究所	27	94	6.0	9.0
4	郭文胜	中国电子科技集团公司第十三研究所	8	28	4.0	5.0