一种用于ADC模拟集成电路设计和分析的MOS晶体管模型

• 作者: 杨吉庆 殷湛 郭立
• 来源期刊: 计算机工程与科学
• 学科: 工学
• 关键词: 金属氧化物场效应晶体管 跨导 反型系数 模数转换器
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与实现
• 页码范围: 105-107
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2875字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-130X.2006.08.035

摘要

本文提出了一个适合模拟集成电路设计和分析的金属氧化物场效应晶体管模型.它以晶体管反型系数if为基础,表达式具有简洁的形式和良好的精度,并通过一个ADC电路中经常出现的简单共源极放大器的设计过程和仿真结果的对比分析,解释说明这个模型的具体应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭立	中国科学技术大学电子科学与技术系	203	1655	20.0	30.0
2	殷湛	中国科学技术大学电子科学与技术系	3	17	2.0	3.0
3	杨吉庆	中国科学技术大学电子科学与技术系	3	17	2.0	3.0