结合晶体管版图效应分析的模拟集成电路设计

• 作者: 刘博 刘敏 张金灿 张雷鸣
• 来源期刊: 河南科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 模拟集成电路 版图效应 工艺波动 多指栅MOS晶体管
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 电工电信、自动化与计算机
• 页码范围: 50-56
• 页数: 7页
• 分类号: TN386|TN40
• 字数: 5115字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15926/j.cnki.issn1672-6871.2019.02.010

摘要

为了实现模拟集成电路版图设计的自动化,提出一种称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管阵列的版图布局方法.90 nm/1.2 V互补式MOS的测试元件组(TEG)芯片被开发用以实验采样,芯片搭载多种导电沟道分割形式的多指栅晶体管,晶体管在电路的版图设计中以不同的布局形态呈现.这些晶体管的电气参数被测试并抽取,用以分析和评价其直流性能.以二级模拟运算放大器为实验电路,分别采用晶体管阵列和全定制方式进行版图设计,从工艺波动性和版图面积两方面进行对比.成品实测结果表明:以晶体管阵列方式实现共源共栅运放电路时,10枚TEG芯片的平均失调电压为4.48 mV,对比手工版图的5.59 mV,抗波动性能约提升了20％,显示了晶体管阵列版图设计方法的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘博	河南科技大学电气工程学院	29	51	5.0	6.0
2	张雷鸣	河南科技大学电气工程学院	20	23	3.0	3.0
3	张金灿	河南科技大学电气工程学院	11	2	1.0	1.0
4	刘敏	河南科技大学电气工程学院	9	3	1.0	1.0