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基于锗硅BiCMOS工艺的低噪声差分放大器设计
无线局域网
锗硅
BiCMOS
低噪声放大器
基于新一代半导体GaN的高效率功率放大器的研制
GaN
功率匹配
高效率功率放大器
通信系统
基于BiCMOS宽动态可变增益放大器的设计
可变增益放大器
延迟式控制
BiCMOS
宽动态范围
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 新一代绝缘硅BiCMOS 工艺满足放大器在多种应用中的严格要求
来源期刊 电子产品世界 学科 工学
关键词
年,卷(期) 2006,(2) 所属期刊栏目 半导体技术
研究方向 页码范围 92-93
页数 2页 分类号 TN7
字数 2542字 语种 中文
DOI
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电子产品世界
月刊
1005-5517
11-3374/TN
大16开
北京市复兴路15号138室
82-552
1993
chi
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11765
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