SOI高温压力传感器的研究

• 作者: 姚素英 张书玉 张生才 张维连 牛新环 索开南
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 压力传感器 SOI 灵敏度 有限元
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 984-987
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.95|TP212.1
• 字数: 2178字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2006.04.014

摘要

介绍了SOI压力传感器的制作工艺,并且通过有限元软件对传感器输出特性进行模拟,模拟结果与实际测得结果是相符的.对SOI压力传感器测量结果表明,当温度增加到220℃传感器仍然能保持很好线性.另外对SOI压力传感器和多晶硅压力传感器进行比较,发现单晶硅SOI高温压力传感器灵敏度比多晶硅高温压力传感器灵敏度有较大提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张维连	河北工业大学半导体材料研究所	27	203	9.0	13.0
2	姚素英	天津大学电子信息工程学院	160	911	14.0	21.0
3	牛新环	河北工业大学半导体材料研究所	69	406	10.0	17.0
4	索开南	河北工业大学半导体材料研究所	3	31	2.0	3.0
5	张书玉	河北工业大学半导体材料研究所	3	39	2.0	3.0
6	张生才	河北工业大学半导体材料研究所	1	27	1.0	1.0