纳米碳管阵列场增强因子的计算

• 作者: 尚学府 徐亚伯 李振华 王新庆 王淼
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米碳管阵列 场增强因子 开启电压
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 797-802
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4087字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.02.057

摘要

采用悬浮球模型,结合对称的镜像电荷层方法,对静电场中纳米碳管阵列的场增强因子进行了计算,并在考虑极板间距的情况下,对其计算结果做了修正.结果表明:纳米碳管阵列的间距对纳米碳管阵列的场发射性能影响很大.当纳米碳管阵列中碳管间距小于碳管高度时,场增强因子随间距的减小而急剧减小;而当碳管间距显著大于碳管高度时,场增强因子几乎不变.但当考虑阴阳极之间单位面积通过的场发射电流时,可论证当管间距与管高度相若时,能使场发射电流密度最佳(最大).另外,极板间距对场增强因子的影响很小,但是可以通过减小极板间距,来降低纳米碳管作为场发射体的场发射的开启电压,优化纳米碳管的场发射性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王淼	浙江大学物理系	59	761	12.0	26.0
2	徐亚伯	浙江大学物理系	13	38	4.0	6.0
3	王新庆	浙江大学物理系	14	245	9.0	14.0
4	李振华	浙江大学力学系	35	551	12.0	23.0
5	尚学府	浙江大学物理系	11	57	6.0	7.0