单根纳米导线场发射增强因子的计算

• 作者: 何丕模 徐亚伯 李振华 杨兵 王凤飞 王新庆 王淼
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米导线 场发射 增强因子 极板间距
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1347-1351
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3214字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.060

摘要

利用镜像电荷模型,对静电场中单根纳米导线尖端的电势和电场进行计算,得到纳米导线发射体尖端场增强因子表达式为β0=h/ρ+3.5.若考虑极板间距对场增强因子的影响,则场增强因子的表达式调整为β=h/ρ+3.5+A(h/d)3,其中h,ρ分别为纳米导线的长度和半径,d为极板间距,A为常数.结果表明纳米导线的长径比对场增强因子的影响最显著,而极板间距对纳米导线的场增强因子只有微弱影响,随极板距离的增加而减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王淼	浙江大学物理系	59	761	12.0	26.0
2	徐亚伯	浙江大学物理系	13	38	4.0	6.0
3	王新庆	浙江大学物理系	14	245	9.0	14.0
4	王凤飞	浙江大学物理系	8	148	5.0	8.0
5	李振华	浙江大学力学系	35	551	12.0	23.0
6	何丕模	浙江大学物理系	35	120	6.0	10.0
7	杨兵	浙江大学物理系	1	6	1.0	1.0