Cd0.80Zn0.20Te晶体的生长及性能研究

• 作者: 何知宇 张冬敏 方军 朱世富 王智贤 程曦 赵北君 高德友
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碲锌镉 晶体生长 XRD 红外光谱 蚀坑密度
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 页码范围: 1293-1296
• 页数: 4页
• 分类号: O782
• 字数: 1882字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.06.019

摘要

用本实验室合成的Cd0.80Zn0.20Te多晶料为原料,采用改进的布里奇曼法在镀碳和未镀碳的石英安瓿中生长出Cd0.80Zn0.20Te晶锭.使用X射线衍射仪对合成产物及晶锭进行了分析,生长晶体的X射线衍射峰尖锐,摇摆谱对称,表明晶锭的结晶性能较好;用IRPrestige-21红外光谱仪分析了晶体的红外透射光谱,测试结果表明安瓿镀碳后生长的晶体位错密度小,均匀性较好,电阻率优于未镀碳安瓿生长的晶体;晶体的蚀坑密度在103～104cm-2之间,比未镀碳安瓿生长的晶体低1个数量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱世富	四川大学材料学院	151	840	14.0	20.0
2	赵北君	四川大学材料学院	132	744	14.0	19.0
3	王智贤	四川大学材料学院	3	2	1.0	1.0
4	何知宇	四川大学材料学院	69	221	8.0	11.0
5	高德友	四川大学材料学院	13	135	6.0	11.0
6	程曦	四川大学材料学院	6	79	3.0	6.0
7	方军	四川大学材料学院	3	6	1.0	2.0
8	张冬敏	四川大学材料学院	3	6	1.0	2.0