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掺锡氧化铟基底上锆钛酸铅铁电薄膜的制备与表征
掺锡氧化铟基底上锆钛酸铅铁电薄膜的制备与表征
作者:
刘爽
吴亚雷
文莉
褚家如
许晓慧
黄文浩
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
铁电薄膜
电学性能
掺锡氧化铟
疲劳特性
摘要:
用溶胶.凝胶工艺在掺锡氧化铟导电氧化物基底上制备了锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜.采用快速热处理工艺改进铁电薄膜的晶格取向,用X射线衍射仪分析了薄膜的结晶取向,分别基于Al/PZT/ITO,ITO/VZT/ITO电容结构利用Sawyer-Tower电路原理测试了薄膜的铁电性能.结果表明,在磁控溅射法生长的ITO表面能够制备出具有钙钛矿结构的(110)取向的FZT铁电薄膜,所得薄膜的相对介电常数达到1000,剩余极化强度P1达到和Pt基底上接近的15.2 uc/cm2,矫顽场强Ec达到70.8 kV/cm.并且利用TF Analyzer 2000铁电分析仪测试了PZT铁电薄膜的疲劳特性,发现ITO底电极上PZT薄膜经过108次反转后,剩余极化强度仅下降15%.研究表明:磁控溅射法制备的掺锡氧化铟透明导电薄膜ITO可以作为铁电薄膜的上下电极.
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关键词热度
相关文献总数
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文献信息
篇名
掺锡氧化铟基底上锆钛酸铅铁电薄膜的制备与表征
来源期刊
纳米技术与精密工程
学科
工学
关键词
铁电薄膜
电学性能
掺锡氧化铟
疲劳特性
年,卷(期)
2007,(4)
所属期刊栏目
精密加工
研究方向
页码范围
327-330
页数
4页
分类号
TNL6
字数
2522字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1672-6030.2007.04.023
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
褚家如
中国科学技术大学精密机械与精密仪器系
76
566
14.0
19.0
2
黄文浩
中国科学技术大学精密机械与精密仪器系
88
768
14.0
23.0
3
文莉
中国科学技术大学精密机械与精密仪器系
18
49
4.0
6.0
4
吴亚雷
中国科学技术大学精密机械与精密仪器系
12
53
5.0
6.0
5
刘爽
中国科学技术大学精密机械与精密仪器系
27
238
9.0
15.0
6
许晓慧
中国科学技术大学精密机械与精密仪器系
13
75
6.0
8.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
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共引文献
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参考文献(5)
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引证文献(2)
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电学性能
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疲劳特性
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研究去脉
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纳米技术与精密工程(英文)
主办单位:
天津大学
中国微米纳米技术学会
出版周期:
季刊
ISSN:
1672-6030
CN:
12-1458/03
开本:
出版地:
天津市南开区卫津路92号
邮发代号:
创刊时间:
语种:
eng
出版文献量(篇)
1315
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2
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英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
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学科类型:
数理科学
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