SnO2-x薄膜非化学计量比对气敏性能的影响

• 作者: 杜军 杨志民 毛昌辉 熊玉华 王磊
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 其他
• 关键词: SnO2薄膜 氧分压 非化学计量比 反应磁控溅射
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 22-25,51
• 页数: 5页
• 分类号: O.472|TN304.92
• 字数: 3349字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2007.01.006

摘要

采用反应磁控溅射法制备SnO2薄膜经常出现化学计量比的失衡问题.通过控制溅射过程中的氧分压制备不同化学计量比的SnO2-x薄膜,研究非化学计量比对薄膜结构、成分以及气敏性能的影响.XRD结果表明氧分压对材料结构和取向的影响非常显著.薄膜的O/Sn和表面化学成分通过XPS进行确定,分析发现氧分压的增加促使薄膜接近化学计量比,但表面化学吸附氧含量在0.33Pa氧分压下达到最大.气敏性能测试表明,非化学计量比主要影响薄膜表面的化学吸附氧数量,从而影响导电性和气体敏感性.氧分压对薄膜化学吸附氧的影响趋势与对气敏性能的影响趋势一致.0.33Pa氧分压下制备的薄膜拥有最多的表面吸附氧,同时对氢气的灵敏度高达45.6%.另外,在0.2～0.5Pa氧分压下制备的薄膜对氢气具有较好的选择性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜军		75	496	13.0	17.0
2	王磊		38	221	9.0	12.0
3	毛昌辉		60	564	12.0	21.0
4	杨志民		40	363	9.0	17.0
5	熊玉华		20	94	7.0	8.0